高纯气路如何避免输送管道中的颗粒污染

　　高纯气路如何避免输送管道中的颗粒污染

　　随着微电子工业的发展，超大规模集成电路制造的硅片尺寸越来越大，这就要求半导体制造过程中气体的质量相应地越来越高。气体中对杂质和露点的要求非常严格。ppb和ppt级别是必需的。粉尘粒径要求控制在0.1 ~ 0.05米以内，因此对高纯度气体输送管道系统提出了很高的要求 那么高纯气路如何避免输送管道中的颗粒污染，

　　杂质(02、H202、CO2、C0等。)由于半导体制造过程中氧化物膜的形成而退化，然而，包含在气体中的微粒对半导体制造的几乎整个过程都有影响。 在热处理过程中，碱金属颗粒导致氧化膜和硅之间的界面特性异常，导致耐受电压差或电特性恶化

　　此外，在高温处理期间，重金属颗粒侵入并扩散到硅中，导致晶体缺陷，这是半导体器件特性开裂的原因。 此外，在蚀刻过程中，颗粒粘附到硅晶片上，这是接触部分和周围环境的蚀刻精度降低的原因。 因此，在某种意义上，高纯度气体中的粉尘含量比其纯度更重要，控制颗粒物污染成为高纯度气体输送管道的核心内容 微粒污染源来自两个方面:一是附着在管壁上的微粒，二是管壁因磨损或腐蚀等而产生的微粒。

　　过滤器应分段安装在管道系统上，以去除颗粒物，通常应使用两级以上的气体过滤。 预过滤器和高精度终端气体过滤器通常安装在清洁设备中。预过滤器安装在净化厂气体入口室的气体主管上，用于预过滤器气体以减轻末端气体过滤器的负担并延长其使用寿命。高精度终端气体过滤器应位于相邻的气体消耗点。

　　在系统设计中，应充分考虑系统末端的辐射管、各主管和分支主管末端的吹扫阀和必要的取样口，以便于操作前的吹扫、更换和维护。应减少系统中无流量气体的“死区”,并且不应有不容易吹出的“盲管”和其他死角，以避免颗粒积聚。

　　以上是对如何避免高纯气路输送管道颗粒污染的分析，希望能为大家提供参考。 高纯度气体是气体的重要考虑因素，对气体的质量有很大影响。我们应该避免微粒的产生。